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飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)

飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS) 质谱仪 第1张 飞行时间二次离子质谱仪TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)是通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。

 

应用领域:
1. 掺杂剂与杂质的深度剖析
2. 薄膜的成份及杂质测定 (金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族)
3. 超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析
4. 硅材料整体分析,包含B, C, O,以及N

5. 工艺工具(离子植入)的高精度分析 


系统参数:
1、表面分析;
2、表面质谱;
3、绝缘分析;
4、正反SMIS;
5、2000 M/ΔM;
6、反射器分析;
7、质量范围>1000m/z;
8、溅射清洗能力;
9、5分钟真空度从大气达到工作要求;
10、1分钟快速分析;

11、坚固稳定,可扩长。

飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS) 质谱仪 第2张